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      比亞迪半導體西安研發中心啟用,同期發布IGBT6.0芯片


      5月16日,從比亞迪半導體處獲悉,比亞迪半導體西安研發中心即將啟用,與此同時,比亞迪半導體打磨出一款更高性能的IGBT6.0芯片,并計劃于西安研發中心全新發布。


      據悉,比亞迪半導體在全國擁有五大研發及生產制造基地,分別是深圳、惠州、寧波、長沙、西安。位于西安的半導體研發中心,將配備近千人的研發團隊,是比亞迪半導體精心布局的全新研發基地,承擔著開啟新一輪半導體創新與研發攻堅戰的使命。


      比亞迪半導體將充分利用西安在集成電路方面的人才資源、供應鏈資源及客戶資源,主要從事功率半導體、智能傳感器、智能控制IC等半導體產品的設計及服務,進一步提升公司產品研發和技術實力。


      據了解,自2002年進入半導體領域以來,比亞迪半導體在2009年便推出國內首款自主研發的 IGBT 芯片,2018年推出 IGBT4.0 芯片并樹立國內中高端車用IGBT新標桿。截止2020年底,以IGBT為主的車規級功率器件累計裝車超過100萬輛,單車行駛里程超過100萬公里。


      IGBT4.0芯片通過精細化平面柵設計,使得同等工況下,綜合損耗較市場主流產品降低了約20%,整車電耗顯著降低。


      歷時兩年積累,比亞迪半導體打磨出一款更高性能的IGBT6.0芯片,并計劃于比亞迪半導體西安研發中心全新發布。比亞迪半導體稱,IGBT6.0芯片采用新一代自主研發的高密度溝槽柵技術,相較同類產品在可靠性及產品性能上將實現重大突破,達到國際領先行列。


      來源:愛集



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